火狐体育-新型激光材料加工专利大幅提升SiC生产率

激光雕刻机 | 2021-05-01

日本DISCO的科学家们将其用于名为核心无定型黑色重复吸收(KEYAMORPHOUS-Blackrepetitiveabsorption,KABRA)的专利和正在申请专利的激光材料加工技术中,可以将碳化硅(SiC)晶片的生产率提高4倍。该火狐体育技术仅限于单晶和多晶团,而不考虑晶体层的倾向。目前,SiC电力在市场上渗透比较快。

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主要是因为产量少,生产成本低。但是KABRA方法需要大大提高SiC部件的产量,SiC部件需要用电力、空间反射镜、草图光学模具、辐射热测量计等产品来确保更好的市场动力。为了在厚度为20毫米、直径为4英寸的晶体中生产厚度为350m的SiC晶圆,现有金刚石锯使用的加工工艺需要1.6~2.4个小时才能切割成各晶圆。而且,要开展双面抛光工艺和最终抛光工艺。

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在一个晶体中,生产30片晶圆共需要2.5~3.5天,很多抛光工艺正在开发中,但SiC仍然是非常柔软坚硬的材料,在机械切割过程中形成浅平的凹槽,因此SiC需要非常细心地展开抛光。KABRA修正源分离后,名字就知道了。

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KABRA工艺本质上是在SiC芯片内部探索激光,通过反复通过或“无定型黑色重复吸收”将SiC分解成无定型硅和无定型碳,作为晶圆分离基点的一层,即黑色无定型层,吸收更好的光线,因此应该容易分离。与传统工艺的1.6~2.4小时相比,KABRA工艺可以在25分钟内分离出各晶圆,用于传统切片工艺,与各晶圆带来200m的材料损失相比,KABRA工艺在分离期间不会造成材料损失。(阿尔伯特爱因斯坦,Northern Exposure(美国电视连续剧))此外,分离钻石锯片的晶圆需要经过16个小时的最后研磨时间,这在KABRA工艺中也是不必要的。

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总之,利用传统工艺,从一个决定中生产30片晶圆需要2.5~3.5天。KABRA工艺,在一个决定中生产44片晶圆,只需要18个小时。这相当于生产力提高了3~5倍(或生产能力约为4倍)。-火狐体育。

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